Uno strato di tipo N è una regione di semiconduttore, spesso silicio, drogata con atomi che forniscono elettroni mobili in eccesso. Questi elettroni fungono da portatori di carica negativa. In una cella solare al silicio, la regione di tipo N è affiancata da silicio di tipo P, che presenta un’abbondanza di lacune con comportamento positivo.
Il confine tra le due regioni forma una giunzione che aiuta a separare gli elettroni e le lacune generati dalla luce, consentendo alla corrente di fluire attraverso un circuito esterno. Gli strati di tipo N sono presenti anche in altri dispositivi a semiconduttore, nei quali le proprietà dei portatori sono controllate con precisione durante la fabbricazione. Il livello di drogaggio, lo spessore e l’uniformità influenzano le prestazioni del dispositivo, quindi la produzione richiede un controllo preciso del processo.